겸 최고경영자(CEO) 2나노미터(㎚
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작성자 test 작성일25-07-19 05:03 조회86회 댓글0건관련링크
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에드워드 샤리에프랙틸리아공동 창립자 겸 최고경영자(CEO) 2나노미터(㎚) 이하 첨단 반도체를 양산하기 위해서는 무작위 결함 '스토캐스틱'을 제어할 수 있어야 한다는 주장이 나왔다.
에드워드 샤리에프랙틸리아최고경영자(CEO)는 16일 서울 중구 프레지던트.
프랙틸리아에 따르면, EUV 공정에서는 연구개발 단계에서 구현 가능한 패턴 크기와 실제로 안정적인 수율을 확보할 수 있는 최소 크기 사이에 약 5나노미터의 격차가 존재한다.
ⓒ프랙틸리아첨단 반도체 공정에서 안정적인 수율 확보가 점점 더 어려워지고 있다.
‘프랙틸리아(Fractilia)’의 공동 창업자인 에드워드 샤리에 최고경영자(CEO·왼쪽)와 크리스 맥 최고기술관리자(CTO)가 16일 서울 중국 프래지던트호텔에서 중앙일보와 인터뷰 하고 있다.
사진프랙틸리아과거 반도체 업계에서 ‘측정’은 사고만 안 치면 되는 일.
오류는 EUV(극자외선) 공정 팹(Fab) 당 수천억원 규모의 수율 손실을 일으킬 수 있는 것으로 알려졌다.
미국 소프트웨어 기업프랙틸리아는 독자 알고리즘을 기반으로 스토캐스틱 문제를 해결할 수 있는 솔루션을 보유하고 있다.
실제로 현재 상위 5대 반도체 기업.
프랙틸리아의 FAME OPC는 첨단 패터닝 공정에 사용되는 필수 기법인 광 근접 보정(OPC) 모델링 향상에 결정적인.
프랙틸리아오버레이 패키지 예시.
프랙틸리아가 확률론적 오류(스토캐스틱) 제어 솔루션에 오버레이 패키지를 제공한다.
패키지는프랙틸리아메트로LER와 페임(FAME)에 핵심 오버레이 측정·분석 기능을 새롭게 추가한 옵션 제품이다.
극자외선(EUV) 장비 패턴.
반도체 공정 시 발생하는 주요 확률론적 오류(스토캐스틱)프랙틸리아는 '확률론적 오류(스토캐스틱)' 분석과 제어를 위한 신규 프로그램 '프랙틸리아챌린지'를 발표했다.
스토캐스틱은 반도체 공정 시 미세 회로 문제를 발생시키는 오류다.
크리스 맥프랙틸리아최고기술책임자(CTO) 겸 공동창업자프랙틸리아반도체 회로 선폭 계측 기술을 활용한 사례가 5년 새 100배 증가했다.
프랙틸리아는 반도체 공정 시 미세 회로 문제를 발생시키는 '확률론적 오류(스토캐스틱)'를 계측·제어하는 솔루션을 개발.
소프트웨어 회사프랙틸리아는 20일 ‘프랙틸리아자동화 측정 환경(FAME)’으로 주사전자현미경(SEM) 장비를 연결하는 ‘프랙틸리아챌린지’ 프로그램을 반도체 칩 제조사에 조건 없이 제공한다고 밝혔다.
BKM(best known method·반도체 업계에서 주어진 과정을.
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